From a1e78b76630a1cfb0a9dfc04e929bd99ec7c0ae8 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: burg Date: Sat, 16 Oct 2004 17:52:12 +0000 Subject: Corrections de fautes d'orthographe et ajout de précision technologique --- a/puiss/pcb/Transistor.txt | 8 +++++--- 1 file changed, 5 insertions(+), 3 deletions(-) (limited to 'a/puiss/pcb/Transistor.txt') diff --git a/a/puiss/pcb/Transistor.txt b/a/puiss/pcb/Transistor.txt index c664ae4..22100c5 100644 --- a/a/puiss/pcb/Transistor.txt +++ b/a/puiss/pcb/Transistor.txt @@ -14,10 +14,12 @@ En technologie FET, de m Les transistors dopés N et ceux dopés P. Les transistors canal P coûte plus cher et leur liste de choix est bien moins importante si l'on compare à un canal N. C'est pour cela que le canal P choisie à une résistance -Rd(on) 4x plus importante que celle du canal N. +Rd(on) 4x plus importante que celle du canal N.(Cela est du au propriété +du silicium dopé P, qui possède moins de "trou" que du silicium dopé N +pour un volume égale.) -Le STP60NE06-16 de chez ST (cannal N) +Le STP60NE06-16 de chez ST (canal N) - - - - - - - - - - - - - - Vdss = 60V @@ -42,4 +44,4 @@ pour ne pas faire fondre les jonctions des transistors. Tb burg@efrei.fr -20/07/2004 +Initial rev:20/07/2004; Last rev:16/10/2004 -- cgit v1.2.3