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path: root/a/puiss/pcb/Transistor.txt
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authorburg2004-10-16 17:52:12 +0000
committerburg2004-10-16 17:52:12 +0000
commita1e78b76630a1cfb0a9dfc04e929bd99ec7c0ae8 (patch)
tree54cf2ce9cef55139ee3b3a3134dd092482a911b2 /a/puiss/pcb/Transistor.txt
parent7868feb67d7c2d1414cbcd84b6f02a7305a65117 (diff)
Corrections de fautes d'orthographe et ajout de précision technologique
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-rw-r--r--a/puiss/pcb/Transistor.txt8
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diff --git a/a/puiss/pcb/Transistor.txt b/a/puiss/pcb/Transistor.txt
index c664ae4..22100c5 100644
--- a/a/puiss/pcb/Transistor.txt
+++ b/a/puiss/pcb/Transistor.txt
@@ -14,10 +14,12 @@ En technologie FET, de même en tech. MOSFET il a 2 types de transistors.
Les transistors dopés N et ceux dopés P. Les transistors canal P coûte
plus cher et leur liste de choix est bien moins importante si l'on compare
à un canal N. C'est pour cela que le canal P choisie à une résistance
-Rd(on) 4x plus importante que celle du canal N.
+Rd(on) 4x plus importante que celle du canal N.(Cela est du au propriété
+du silicium dopé P, qui possède moins de "trou" que du silicium dopé N
+pour un volume égale.)
-Le STP60NE06-16 de chez ST (cannal N)
+Le STP60NE06-16 de chez ST (canal N)
- - - - - - - - - - - - - -
Vdss = 60V
@@ -42,4 +44,4 @@ pour ne pas faire fondre les jonctions des transistors.
Tb
burg@efrei.fr
-20/07/2004
+Initial rev:20/07/2004; Last rev:16/10/2004